статических характеристик выбранных ламп. Идеализированные характеристики ламп изображаются отрезками прямых линий. Практически бывает необходимо идеализировать только несколько характеристик.

Рис. 1.6. Возможные способы идеализации сеточной характеристики:

а - одной прямой; б ~ двумя прямыми (с горизонтальным участком): в -двумя прямыми (с пад.1ющим участком): Eg - реальное напряжение запирания .зампы; Egf, - предполагаемое иапряжеиие запирания лампы; РХ ~~ реальная характеристика; ИХ - пдеализироваиипя характеристика; ТКР - точка критического режима

На рис. 1.6 и 1.7 показаны возможные варианты идеализации сеточных и анодны» статических характеристик. Наиболее типичный случаи идеализации ССХ приведен на рис. 1.6, а. Реальная характеристика заменяется одной прямой. Она имеет крутизну

Критическая

Критическая линия

Рис. 1.7. Возможные способы идеализации анодных статических характеристик: а - при резком нзгнбе характеристик, б ~ црн плавном изгибе характеристик

средней части действительной характеристики. Такая идеализация ССХ применяется при аналитических расчетах усилителей и генераторов.

Идеализация ССХ двумя прямыми (с падагощнм или с горизонтальным участком) используется в основном для графической иллюстрации физических процессов. Точку соединения двух

участков идеализированной характеристики назовем точкой критического режима (ТКР).

Для идеализации АСХ характерны два случая. Первый показан на рис 1.7,0. Он применяется для тех ламп, у которых АСХ имеют резкий изгиб. В этом случае идеализированная линия спада анодного тока называется линией критического режима (ЛКР) или критической линией (КЛ). Называют ее также линией граничного режима. Данный вариант идеализации АСХ пригоден для большинства современных ламп.

Второй вариант идеализации (рис. 1.7,6) применяется для тех ламп, у которых АСХ имеют плавный изгиб. В этом случае критическая линия проводится примерно через середину скругления тон характеристики, которая соответствует наибольшему положительному напряжению на управляющей сетке генераторной лампы. Очевидно, что в данном слу)чае критическая линия не совпадает с линией спада анодного тока и не может считаться строго определенной.

Крутизна критической линии 5кл является важным расчетным параметром лампы и поэто.му часто указывается в справочниках. Она бывает порядка единиц или десятков Maje. По своей физической Сущности крутизна критической линии представляет собой проводимость лампы. Поэтому ее нельзя сравнивать с крутизной лампы, которая не имеет аналогичного физического смысла *.

Участок критической линии является одним из отрезков идеализированной АСХ (от начала ее до точки критического режима).

4. Основное уравнение идеализированной лампы

Идеализация характеристики лампы одной прямой позволяет найти простую аналитическую зависимость анодного тока от напряжений на управляющей сетке и на аноде. Для вывода основного (исходного) уравнения достаточно иметь только две идеализированные ССХ. Они изображены на рис. 1.8.

Первая (левая) характеристика соответствует произвольному анодному напряжению Иа. Она начинается с некоторого отрицательного сеточного напряжения. Его абсолютная величина обозначена £gB и названа напряжением запирания идеализированной лампы. Это есть предпола! аемое напряжение запирания лампы. Обратим внимание, что напряжение fgB соответствует конкретному анодному напряжению.

Вторая (правая) характеристика соответствует такому анодному напряжению fao, при котором она проходит через начало координат. Его называют анодным напряжением приведения, так как tia=£ao «приводит» идеализированную ССХ в начало координат. Напряжение £ао зависит от параметров лампы и определяется из справочника.

* Исключение составляет критическая линия, проведенная е сеточной системе координат.

Уравнение левой характеристики имеет следующий вид:

4 = 5(и + £з). (1-1)

В этом уравнении (и во всех последующих) величина Egb считается положительной, так как она выступает в качестве эталона, с которым сравнивается реальное напряжение на сетке Ug. Напряжение Ug может быть отрицательным, нулевым или положительным. Если например, Ug= -Egs, то 4=0, т. е. лампа заперта. Если Ug=0, то ia=S-EgB. Это уравнение наглядно показывает, что величина EgB в формулах должна считаться только положительной, так как отрицательный анодный ток не имеет смысла.

В уравнении (1.1) зависимость анодного тока от напряжения на аноде представлена в неявном виде. Поэтому желательно преобразовать его. Из определения статических параметров лампы и рис. 1.8 вытекает, что проницаемость лампы

«а

следовательно

-£ао).

(1.2)

Рис. 1.8. Идеализированные ССХ

С учетом соотношения (1.2) уравнение (1.1) получает следующий вид.

4 = 5[«-f D(«,-£;o)].

(1.3)

Это и есть основное уравнение идеализированной лампы. Оно показывает зависимость величины анодного тока от напряжений на сетке и на аноде. Уравнение (1.3) верно в любой системе координат, т. е. для любых идеализированных характеристик (сеточных и анодных).

Если напряжение На считать постоянным, а независимой переменной полагать напряжение Ug, то получается уравнение семейства ССХ. Задаваясь величинами и, можно построить сколько угодно взаимно параллельных идеализированных сеточных статических характеристик. Каждая из них является прямой линией. В частности, при На = £ао имеем i&-S-Ug. Это уравнение ССХ, проходящей через начало координат.

Если напряжение Ug считать величиной постоянной, а На независимой переменной, то получается уравнение семейства АСХ. Так, например, при %=£-£ао получается уравнение l&=S-D-u&. Это есть уравнение анодной статической характеристики, проходящей через начало координат. Если считать %=0, то начало АСХ соответствует ано.цному напряжению На=£ао.