Главная -> Книги

(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) ( 69 ) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86) (87) (88) (89) (90) (91) (92) (93) (94) (95) (96) (97) (98) (99) (100) (101) (102) (103) (104) (105) (106) (107) (108) (109) (110) (111) (112) (113) (114) (115) (116) (117) (118) (119) (120) (121) (122) (123) (124) (125) (126) (127) (128) (129) (130) (131) (132) (133) (134) (135) (136) (137) (138) (139) (140) (141) (69)

*1ый: v=l, 2, 3, 4... Получение промежуточных кратных значений вызывает значительные конструктивные трудности [7.16].

В каскадах, работающих на фиксированной частоте ю или в узком диапазоне ча-стот (с полосой до ±10%), необходимую трансформацию (7.85) можно осуществить с помощью согласующих ЬС-звеньев.

В табл. 7.3 приведены схемы и расчетные соотношения для определения параметров Г-, Т- и Я-звеньев, трансформирующих сопротивление Ri и /?2 на заданной частоте /. При расчете Т- и i7-3BeHbeB сопротивлением Ro задаются в соответствии с указанными неравенствами в табл. 7.3.

В формулах для КПД согласующих цепей учитываются только потери в индуктивностях, поскольку обычно добротность индуктивностей Qt много меньше добротности конденсаторов Qc. Однако если добротности Ql и Qc оказываются соизмеримыми, то для приближенных оценок КПД в формулы табл. 7.3 необходимо подставлять Qcp=QlQc/{Ql + Qc)-

В ряде случаев при расчете по приведенным формулам могут потребоваться столь малые значения индуктивностей, что их реализация затруднена. Тогда следует усилить неравенство при выборе сопротивления Ro или перейти к значениям индуктивности, удобной в конструктивном отношении, а избыточное значение индуктивности скомпенсировать последовательным включением дополнительного конденсатора Сд. В обоих случаях это связано с уменьшением ширины частотного диапазона цепи связи и уменьшением его КПД.

Согласующие LC-звенья, помимо трансформации сопротивлений Rk i-i и Rbx г, ИЗ ОСНОВНОЙ частотс ш ДОЛЖНЫ обеопечивать определенное входное сопротивление на частотах высших гармоник

вх(псо).

Например, для генераторов, работающих в недонапряженном режиме, 2вх(пш) должно быть достаточно малым, чтобы обеспечивалась форма напряжения на коллекторе, близкая к гармонической. Для этого согласующая цепь должна начинаться с параллельной емкости Ci. Значения элементов согласующей цепи рассчитываются по формулам из табл. 7.3 с учетом ограничения (7.1).

Аналогично для ключевых генераторов в генераторах по схемам на рис. 7.8а и 7.10 согласующая цепь должна начинаться с последовательной индуктивности Li. Значения элементов согласующей цепи определяются по формулам из табл. 7.3 с учетом ограничений (7.33) или (7.36). В генераторе по схеме на рис. 7.86 согласующая цепь может начинаться с параллельной емкости С] или с последовательной индуктивности Lj, как в схеме на рис. 7.8а. Элементы определяются из табл. 7.3 с учетом ограничений (7.34).

На средних и высоких частотах />0,01/т при проектировании согласующих цепей связи надо учитывать реактивную составляю-.щую входного сопротивления транзистора Аи(ш). В генераторах,



работающих в недонапряженном режиме, надо учитывать выходную емкость транзистора (7.1) и индуктивность коллекторного вывода. В ключевых генераторах коллекторная емкость Ск= = Ск.А+Ск.п и индуктивность коллекторного вывода включаются-в элементы формирующего LC-контура.

При проектировании цепей связи для широкодиапазонных генераторов, работающих в недонапряженном режиме, необходимо-также учитывать частотные зависимости коэффициентов усиления по току а(й)) и р(ш). При построении таких генераторов удобно использовать эквивалентную схему трйнзистара по первой гармонике (при включении дололнителвного сопротивления Рд- и РдСд-це-почки), изображайной на рис. 7.11.


-t---о

Рис. 7,Г1. Эквивалентные схемы транзистора: а) для схемы с ОБ; б) для схемы с ОЭ

Для схемы с ОБ: L„L + W, р s» Рз -f Гб - aoIfiWaVi (0);

Кг.« -д Yi!(? - 0) + aoYi (0) [®/б- •б!; «

Для схемы с ОЭ: LwL, + Lg; Рвх»Ps + Гб + ю,ЬзYi(e);

» « /?д Yi - 0) + Yi (0) [Ро -э - э): « тэ„в/р;,,

/б, где Тз„в=- + PoC„/?„Yi(0)- (7.866).

в § 10.3 и в [7.9; 7.10; 7.11] рассматривается проектирование широкодиапазонных генераторов.



7.9. Расчет теплового режима

В расчет теплового режима входит определение максимальной температуры переходов транзистора /°п.макс, которая не должна превышать предельную допустимую /°п.доп: при отсутствии дополнительного теплоотвода

акс = LaKC + Расс № к + /?к с ) < , (7.87)

при охлаждении с помощью дополнительного теплоотвода

.«акс = ?.„акс + Рсс {п.. + R. . + К) < . (7.88)

где /°с.макс - м.аксимальная температура окружающей среды, °С; Ррасс-мощность, рассеиваемая в транзисторе, Вт; Рп.к-тепловое сопротивление переход-ikopnyc транзистора, °С/Вт; Rn.c - тепловое сопротивление корпус-среда транзистора, °С/Вт; Рк.т - тепловое сопротивление корпус-теплоотвод (0,5-;-1,0)°С/Вт]; Рт - тепловое сопротивление теплоотвода (радиатора), °С/Вт.

Мощность Ррасс приближенно равна мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора, и определяется из расчета генератора. При усилении AM и ОМ колебаний, при амплитудной модуляции, при импульсной (телеграфной) работе необходимо подставить среднее за период модуляции значение рассеиваемой мощности

Ррасс.ср = Ро ср-Pi ср-

Тепловое сопротивление теплоотвода Rt определяется из (7.88)

при t п.макс п.доп

.доп - ?.„акс ) - (п.к + R..r ). (7.89)

Величина Рт является исходной для проектирования теплоотвода. В ряде руководств [7.7; 7.8] расчет теплоотвода проводится «епосредствеино без предварительного расчета сопротивления Rr

при заданных исходных величинах °п.манс, °п.доп, Ррасс, Рпк-

список ЛИТЕРАТУРЫ

7.1. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет. Под ред. Р. А Валитова, И. А. Попова М, «Советское радио», 1973. 462 с.

7.2. Козырев В. Б., Попов И. А. Транзисторные генераторы гармонических колебаний. - «Радиотехника», 1971, т. 26, № И, с. 90-103.

7.3. Ароиов В. Л., Зайцев А. А. Система параметров генераторных СВЧ транзисторов. - «Электронная техника», сер. «Полупроводниковые приборы», 1972, вып. 5 (69), с. 165-178

7.4. Попов И. А. Исследование лавинного пробоя транзистора в генераторных режимах. В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение, вып. 26. М., «Советское радио», 1972, с 41-50.

7.5. Yin И. В. «Electronic Industries*, July, 1960.

7.6. Козырев В. Б. Однотактный ключевой генератор с фильтрующим контуром. В кн : Полупроводниковые приборы в технике электросвязи, вып. 8. М., «Связь», 1971, с. 152-166

7.7. Аксенов А. И., Глушкова Д. Н., Иванов В. И. Отвод тепла в полупроводниковых приборах. М., «Энергия», 1971. 175 с.



(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) ( 69 ) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86) (87) (88) (89) (90) (91) (92) (93) (94) (95) (96) (97) (98) (99) (100) (101) (102) (103) (104) (105) (106) (107) (108) (109) (110) (111) (112) (113) (114) (115) (116) (117) (118) (119) (120) (121) (122) (123) (124) (125) (126) (127) (128) (129) (130) (131) (132) (133) (134) (135) (136) (137) (138) (139) (140) (141)